mos場效應(yīng)管參數(shù)_mos管場效應(yīng)管

d4148mos管參數(shù)

D4148MOS管是一和薯種N溝道MOS場效應(yīng)管
，其參數(shù)如下：

1. 最大漏極-源極電壓（VDS max）：30V

2. 最大柵極-源極電壓（VAH max）：20V

3. 最大柵極功率耗散（PD max）：250mW

4. 最大漏極電流（ID max）：300mA

5. 典型的柵極截止電壓（Vth）：-0.8V

6. 典型的漏極電阻（Rds on）：7.5Ω

7. 柵春棚純極電容（Cg）：33pF

8. 輸出電容（Coss）：18pF

這些參數(shù)僅扒咐供參考，實(shí)際應(yīng)用時(shí)應(yīng)根據(jù)具體的電路設(shè)計(jì)和使用條件進(jìn)行合理的選擇和調(diào)整。

場效應(yīng)管5n60c技術(shù)參數(shù)

5N60C是N溝道MOS場培蘆效應(yīng)管 ，漏極電流為4、5a
，脈沖電流允許18A，D-S耐壓600V 。功耗:33W ，工作溫度范圍:-55°C to +150°C
，封裝類型:TO-220F，功率 ，Pd:33W
，閉激封裝類配態(tài)帶型:TO-220F，常用于開關(guān)電源中作開關(guān)管
。

MOS管和DCDC升壓轉(zhuǎn)換器的主要參數(shù)是···？

MOS管嘛也是

場效應(yīng)管

的一種 ，分結(jié)型和絕緣柵型
，結(jié)型和絕緣柵型又各分為NMOS和PMOS，然后PMOS+NMOS=CMOS。P和N的原理相同 ，只是

電源

極性

相反 。

主要參數(shù)記住

以下

幾點(diǎn):Idss

:飽和漏源

電流

，是指結(jié)型或耗盡型

絕緣柵場效應(yīng)管

中搭譽(yù)穗,

柵極

電壓

UAH =0時(shí)的漏源電流Up

:夾斷電壓
，是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓.

Ut

:開啟電壓，知卜是指增強(qiáng)型絕緣柵

場效

管中,使漏源間剛

導(dǎo)通

時(shí)的柵極電壓

gM

:跨導(dǎo) ，

此乃衡量場效應(yīng)管放大能力的重要

參虛賀數(shù)

.

BVDS

:漏源

擊穿電壓


，是指柵源電壓UAH 一定時(shí),場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓

PDSM:最大

耗散功率

，也是一項(xiàng)

極限參數(shù)

,是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率IDSM

:

最大漏源電流 ，是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過的最大電流

DC/DC轉(zhuǎn)換器是一種

開關(guān)型穩(wěn)壓電源


，一般分為四種:

(1)

極性反轉(zhuǎn)式:其特點(diǎn)是

輸出電壓

的極性正好與

輸入電壓

相反
。特點(diǎn)是Vo=-VI，二者的絕對值相同。除此之外 ，還有輸出固定負(fù)壓 、可調(diào)負(fù)壓兩種 。

(2)

升壓式:其特征是VOVI,

變換器

具有提升電源電壓的作用
。

(3)

降壓式:利用變換器來降低電源電壓
，使VOVI

。

(4)

低壓差

集成穩(wěn)壓器

 。這類集成穩(wěn)壓器的輸入-輸出壓差低于0.5~0.6V，甚至在0.1V左右的壓差下已能正常工作 ，能顯示提高

穩(wěn)壓電源

的效率
。

MOS管70SL500A參數(shù)

1 極限參數(shù):　

ID :最大漏源電流.是指場效應(yīng)管正常工作時(shí)
，漏源間所允許通過的最大電流.場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 ID .此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額.　

IDM :最大脈沖漏源電流.體現(xiàn)一個(gè)抗沖擊能力，跟脈沖時(shí)間也凳鎮(zhèn)有關(guān)系 ，此參數(shù)會隨結(jié)溫度的上升而有所減額.　

PD :最大耗散功率.是指場效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率.使用時(shí)，場效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于 PDSM 并留有一定余量.此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所減額.（此參數(shù)靠不住）

VAH :最大柵源電壓.
，一般為：-20V~+20V

Tj :最大工作結(jié)溫.通常為 150 ℃或 175 ℃ ，器件設(shè)計(jì)的工作條件下須確應(yīng)避免超過這個(gè)溫度 ，并留有一定裕量. （此參數(shù)靠不?。?/p>

TSTG :存儲溫度范圍.　

2 靜態(tài)參數(shù)　

V(BR)DSS :漏源擊穿電壓.是指柵源電壓 VAH 為 0 時(shí)
，場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS . 它棗鋒粗具有正溫度特性.故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮. 加負(fù)壓更好。

△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數(shù) ，一般為 0.1V/ ℃.

RDS(on) :在特定的 VAH (一般為 10V )
、結(jié)溫及漏極電基槐流的條件下
， MOSFET

導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗.它是一個(gè)非常重要的參數(shù)，決定了 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)的消耗功率.此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所增大（正溫度特性）.

故應(yīng)以此參數(shù)在最高工作結(jié)溫條件下的值作為損耗及壓降計(jì)算.　

VAH (th) :開啟電壓(閥值電壓).當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VAH 超過 VAH (th) 時(shí) ，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道.應(yīng)用中
，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時(shí)的柵極電壓稱為開啟電壓.此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所降低.　

IDSS :飽和漏源電流，柵極電壓 VAH =0 、 VDS 為一定值時(shí)的漏源電流.一般在微安級.　

IAH S :柵源驅(qū)動電流或反向電流.由于 MOSFET 輸入阻抗很大 ，IAH S 一般在納安級.　

 、3 動態(tài)參數(shù)　

gfs :跨導(dǎo).是指漏極輸出電流的變化量與柵源電壓變化量之比
，是柵源電壓對漏極電流控制能力大小的量度. gfs 與 VAH 的轉(zhuǎn)移關(guān)系圖如下圖所示.

求貼片N-MOS場效應(yīng)管 SI2302BDS的參數(shù) 和工作原理

SI2302是三極管mos場效應(yīng)管參數(shù)的一種，屬激搭于增強(qiáng)模式場效掘鉛喚應(yīng)晶體判凱管

主要參數(shù)mos場效應(yīng)管參數(shù)：

晶體管類型 ：N溝道MOSFET

最大功耗PD ： 1．25W

柵極門限電壓VAH ： 2．5V（典型值）

漏源電壓VDS ：20V（極限值） 20v

漏極電流ID：2．8A

通態(tài)電阻RDS（on）：0．145ohm（典型值）

柵極漏電流IAH S：±100nA

結(jié)溫：55℃to＋150℃

替代型號：

封裝：

SOT－23（TO－236）

手打不易 ，如有幫助請采納，謝謝mos場效應(yīng)管參數(shù)！！

根據(jù)客戶要求的不同
，我司有針對mos場效應(yīng)管參數(shù)產(chǎn)品多種技術(shù)處理方案，技術(shù)資料也有所不同 ，所以不能直接呈現(xiàn)
，有需求的客戶請與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001，謝謝！