mos管怎么測(cè)試好壞_如何測(cè)量mos管好壞

如何用萬(wàn)用表檢測(cè)mos管是好是壞？

以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管5N60C為例 ，來(lái)詳細(xì)介紹一下具體的測(cè)量方法。

1.N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管好壞的測(cè)量方法

2.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔正向測(cè)量5N60C的D-S兩極 。

測(cè)量5N60C好壞時(shí)，首先將萬(wàn)用表量程開(kāi)關(guān)調(diào)至二極管檔
，將5N60C的G極懸空，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極 ，若是好的管子
，萬(wàn)用表顯示為“OL ”，即溢出（見(jiàn)上圖）。

3.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔反向測(cè)量5N60C的D-S兩極
。

然后調(diào)換紅黑表筆 ，再去測(cè)量D-S兩極
，則萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降（見(jiàn)上圖）。

若MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞，用二極管檔測(cè)量時(shí) ，萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)接近于零 。

4.用萬(wàn)用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電
。對(duì)于N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管充電時(shí)
，紅表筆應(yīng)接管子的G極，黑表筆接管子的S極。

在測(cè)量完5N60C的D-S兩極 ，并且確實(shí)是好的之后
，然后用二極管檔給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電 。

由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(jí)（GΩ讀作吉?dú)W，1GΩ＝1000MΩ） ，數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔的開(kāi)路測(cè)量電壓約為2.8～3V，故用二極管檔的測(cè)量電壓給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后
，可以使MOS場(chǎng)效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小，故用這個(gè)方法可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞
。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后 ，用電阻檔實(shí)測(cè)D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。

6.用萬(wàn)用表電阻檔實(shí)測(cè)5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω 。

上面為一個(gè)好的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量數(shù)據(jù)
。對(duì)于P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法與上述測(cè)量一樣
，只是萬(wàn)用表表筆需要調(diào)換一下極性。

擴(kuò)展資料：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的 ，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)
。在多數(shù)情況下
，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的 。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET） ，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance
， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比
。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管 。

場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流
。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體 ，所以FET管的GATE電流非常小。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體 。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管
，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）
。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

MOS管用數(shù)字萬(wàn)用表怎么測(cè)其好壞及引腳？

用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例 。

一、先確定MOS管的引腳：

1 、先對(duì)MOS管放電mos管怎么測(cè)試好壞 ，將三個(gè)腳短路即可mos管怎么測(cè)試好壞；

1、首先找出場(chǎng)效應(yīng)管的D極（漏極）
。對(duì)于TO-252
、TO-220這類(lèi)封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應(yīng)管mos管怎么測(cè)試好壞，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的
，故mos管怎么測(cè)試好壞我們可用數(shù)字萬(wàn)用表的二極管檔測(cè)量管子的各個(gè)引腳，哪個(gè)引腳與散熱片相連 ，哪個(gè)引腳就是D極。

2、找到D極后
，將萬(wàn)用表調(diào)至二極管檔mos管怎么測(cè)試好壞；

3 、用黑表筆接觸管子的D極，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳 。若接觸到某個(gè)引腳時(shí) ，萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降
，那么該引腳即為S極（源極），剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極）
。

二
、MOS管好壞的測(cè)量：

1、當(dāng)把紅表筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上
，可以測(cè)出來(lái)這個(gè)導(dǎo)通壓降，一般在0.5V左右為正常；

2 、G腳測(cè)量 ，需要先對(duì)G極充下電
，把紅表筆放在G極，黑表筆放在S極；

3
、再次把紅表筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上，可以測(cè)出來(lái)這個(gè)放大壓降
，一般在0.3V左右為正常；

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1、開(kāi)啟電壓VT

開(kāi)啟電壓（又稱(chēng)閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；通過(guò)工藝上的改進(jìn) ，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2 、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示

MOS管的RAH可以很容易地超過(guò)1010Ω 。

3.
、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH=0（增強(qiáng)型）的條件下
，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱(chēng)為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中，其溝道長(zhǎng)度較短 ，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)
，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通 ，穿通后
，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引 ，到達(dá)漏區(qū)
，產(chǎn)生大的ID。

4、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VAH ，稱(chēng)為柵源擊穿電壓BVAH
。

5 、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱(chēng)為跨導(dǎo)；

gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力
，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6
、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū) ，ID幾乎不隨VDS改變
，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下
，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似

·對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH和CGD約為1～3pF ，CDS約在0.1～1pF之間

8、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的?！び捎谒拇嬖?
，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示 ，它的單位為分貝（dB） 。這個(gè)數(shù)值越小
，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小

場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)

一
、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別

（1）用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極

根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象 ，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極
。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選兩個(gè)電極
，分別測(cè)出其正 、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正
、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí) ，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S 。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言
，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G
。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極 ，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極
，測(cè)其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極 ，其余兩電極分別為漏極和源極 。若兩次測(cè)出的電阻值均很大
，說(shuō)明是PN結(jié)的反向，即都是反向電阻 ，可以判定是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管
，且黑表筆接的是柵極；若兩次測(cè)出的電阻值均很小，說(shuō)明是正向PN結(jié) ，即是正向電阻，判定為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管
，黑表筆接的也是柵極
。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測(cè)試 ，直到判別出柵極為止。

（2）用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞

測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極 、柵極與源極
、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞 。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔
，測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知 ，各種不同型號(hào)的管
，其電阻值是各不相同的），如果測(cè)得阻值大于正常值 ，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大
，可能是內(nèi)部斷極
。然后把萬(wàn)用表置于R×10k檔，再測(cè)柵極G1與G2之間 、柵極與源極
、柵極與漏極之間的電阻值 ，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大
，則說(shuō)明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說(shuō)明管是壞的。要注意 ，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè) 。

（3）用感應(yīng)信號(hào)輸人法估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力

具體方法：用萬(wàn)用表電阻的R×100檔
，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D ，給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓
，此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極G，將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上
。這樣 ，由于管的放大作用
，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化 ，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小
，說(shuō)明管的放大能力較差；表針擺動(dòng)較大，表明管的放大能力大；若表針不動(dòng) ，說(shuō)明管是壞的 。

根據(jù)上述方法
，我們用萬(wàn)用表的R×100檔，測(cè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管3DJ2F
。先將管的G極開(kāi)路 ，測(cè)得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏住G極后
，表針向左擺動(dòng)，指示的電阻RDS為12kΩ ，表針擺動(dòng)的幅度較大
，說(shuō)明該管是好的，并有較大的放大能力。

運(yùn)用這種方法時(shí)要說(shuō)明幾點(diǎn)：首先 ，在測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管用手捏住柵極時(shí)
，萬(wàn)用表針可能向右擺動(dòng)（電阻值減?。?，也可能向左擺動(dòng)（電阻值增加） 。這是由于人體感應(yīng)的交流電壓較高 ，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同（或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū)）所致
，試驗(yàn)表明，多數(shù)管的RDS增大 ，即表針向左擺動(dòng)；少數(shù)管的RDS減小
，使表針向右擺動(dòng)
。但無(wú)論表針擺動(dòng)方向如何，只要表針擺動(dòng)幅度較大 ，就說(shuō)明管有較大的放大能力。第二，此方法對(duì)MOS場(chǎng)效應(yīng)管也適用 。但要注意
，MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸人電阻高，柵極G允許的感應(yīng)電壓不應(yīng)過(guò)高 ，所以不要直接用手去捏柵極
，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極 ，以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極
，引起柵極擊穿
。第三，每次測(cè)量完畢 ，應(yīng)當(dāng)G-S極間短路一下。這是因?yàn)镚-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷
，建立起VAH電壓，造成再進(jìn)行測(cè)量時(shí)表針可能不動(dòng) ，只有將G-S極間電荷短路放掉才行 。

（4）用測(cè)電阻法判別無(wú)標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管

首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳
，也就是源極S和漏極D，余下兩個(gè)腳為第一柵極G1和第二柵極G2
。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來(lái) ，對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次，把其測(cè)得電阻值記下來(lái)
，兩次測(cè)得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來(lái)的S、D極 ，還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證
，即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是8極，兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣 。當(dāng)確定了漏極D 、源極S的位置后 ，按D
、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路
，一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置，這就確定了兩個(gè)柵極G1 、G2的位置 ，從而就確定了D、S
、G1、G2管腳的順序。

（5）用測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小

對(duì)VMOS N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí)
，可用紅表筆接源極S 、黑表筆接漏極D，這就相當(dāng)于在源
、漏極之間加了一個(gè)反向電壓
。此時(shí)柵極是開(kāi)路的 ，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔
，此時(shí)表內(nèi)電壓較高 。當(dāng)用手接觸柵極G時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化 ，其變化越大，說(shuō)明管的跨導(dǎo)值越高；如果被測(cè)管的跨導(dǎo)很小
，用此法測(cè)時(shí)，反向阻值變化不大
。

二、.場(chǎng)效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)

（1）為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管 ，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率
，最大漏源電壓 、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值。

（2）各類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中 ，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性 。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)
，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等
。

（3）MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸人阻抗極高 ，所以在運(yùn)輸
、貯藏中必須將引出腳短路
，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意 ，不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi)
，保存時(shí)最好放在金屬盒內(nèi)，同時(shí)也要注意管的防潮 。

（4）為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿 ，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái) 、電烙鐵
、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前
，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí) ，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然
，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的 ，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí)
，絕對(duì)不可以把管插人電路或從電路中拔出
。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。

（5）在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng) ，有必要將管殼體緊固起來(lái)；管腳引線在彎曲時(shí)
，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等 。

對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管 ，要有良好的散熱條件
。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用
，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值 ，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作。

總之，確保場(chǎng)效應(yīng)管安全使用
，要注意的事項(xiàng)是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣 ，廣大的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員
，特別是廣大的電子愛(ài)好者，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā) ，采取切實(shí)可行的辦法
，安全有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管 。

三.VMOS場(chǎng)效應(yīng)管

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件
。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W） 、驅(qū)動(dòng)電流?。?.1μA左右） ，還具有耐壓高（最高1200V）
、工作電流大（1.5a～100A）、輸出功率高（1～250W） 、跨導(dǎo)的線性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身
，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）
、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用 。

VMOS場(chǎng)效應(yīng)功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點(diǎn)，尤其是其具有負(fù)的電流溫度系數(shù) ，即在柵-源電壓不變的情況下
，導(dǎo)通電流會(huì)隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象
。因此 ，VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應(yīng)用。

眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極 、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上
，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng) 。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):第一 ，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二
，具有垂直導(dǎo)電性
。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng) ，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā)
，經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，最后垂直向下到達(dá)漏極D。電流方向如圖中箭頭所示 ，因?yàn)榱魍ń孛娣e增大
，所以能通過(guò)大電流 。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管
。

國(guó)內(nèi)生產(chǎn)VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要廠家有877廠
、天津半導(dǎo)體器件四廠、杭州電子管廠等 ，典型產(chǎn)品有VN401 、VN672
、VMPT2等。

下面介紹檢測(cè)VMOS管的方法 。

1．判定柵極G

將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻
。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大
，并且交換表筆后仍為無(wú)窮大，則證明此腳為G極 ，因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的。

2．判定源極S、漏極D

由圖1可見(jiàn)，在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)
，因此根據(jù)PN結(jié)正 、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極 。用交換表筆法測(cè)兩次電阻 ，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻
，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。

3．測(cè)量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）

將G-S極短路 ，選擇萬(wàn)用表的R×1檔
，黑表筆接S極，紅表筆接D極 ，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐
。

由于測(cè)試條件不同
，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W ，大于0.58W（典型值） 。

4．檢查跨導(dǎo)

將萬(wàn)用表置于R×1k（或R×100）檔
，紅表筆接S極，黑表筆接D極 ，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn)
，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導(dǎo)愈高
。

注意事項(xiàng)：

（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管 ，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對(duì)于P溝道管
，測(cè)量時(shí)應(yīng)交換表筆的位置 。

（2）有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二極管，本檢測(cè)方法中的1
、2項(xiàng)不再適用
。

（3）目前市場(chǎng)上還有一種VMOS管功率模塊 ，專(zhuān)供交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用。例如美國(guó)IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊
，內(nèi)部有N溝道 、P溝道管各三只，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu) 。

（4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品 ，是美國(guó)Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應(yīng)管
，其最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A ，PDM=30W
，共源小信號(hào)低頻跨導(dǎo)gm=2000μS
。適用于高速開(kāi)關(guān)電路和廣播
、通信設(shè)備中。

（5）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后 。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后 ，最大功率才能達(dá)到30W
。

（6）多管并聯(lián)后，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加
，使放大器的高頻特性變壞，通過(guò)反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此 ，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過(guò)4個(gè)
，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻 。

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電動(dòng)車(chē)控制器MOS管如何檢測(cè)好壞

首先,斷開(kāi)控制器與電源連接，把控制器粗黑線與粗紅線碰接短路 ，這樣做的目的是放完內(nèi)部電容余電。

然后
，把三根粗黃線對(duì)粗黑碰線短接，目的同上
。一定要放電后再進(jìn)行測(cè)量。這三根粗黃線實(shí)際上是三根相線 。

做完以上準(zhǔn)備工作后 ，按以下三個(gè)步驟操作
，即可判斷控制器好壞
。

第一步：將萬(wàn)用表置于二極管檔測(cè)量，用紅表筆接控制器負(fù)極 ，黑表筆依次測(cè)量控制器主線中的黃、綠 、藍(lán)線
，讀數(shù)約在500左右（數(shù)字萬(wàn)用表），三次讀數(shù)應(yīng)基本一致。

第二步：用萬(wàn)用表黑表筆接控制器正極 ，紅表筆依次接控制器主線黃、綠
、藍(lán)線，讀數(shù)約在500左右
，三次讀數(shù)應(yīng)基本一致

第三步：如果第一、二步的測(cè)量正常，則表示無(wú)刷控制器基本正常 ，把控制器與車(chē)體線路正常連接
，接通電源，拔掉制動(dòng)線 ，用萬(wàn)用表電壓檔測(cè)量轉(zhuǎn)把5V電壓是否正常 。

若以上測(cè)試正常
，表示控制器基本正常，否則可判定控制器損壞
。

擴(kuò)展資料

電動(dòng)車(chē)控制器的作用

1 、驅(qū)動(dòng)電機(jī)旋轉(zhuǎn)。

2
、在轉(zhuǎn)把的控制下改變電機(jī)驅(qū)動(dòng)電流 ，從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)速度的調(diào)整 。

3、在閘把（剎把）的控制下切斷輸出電流
，實(shí)現(xiàn)剎車(chē)控制
。

4 、對(duì)蓄電池電壓進(jìn)行檢測(cè)，在蓄電池存儲(chǔ)的電壓接近“放電終止電壓
”時(shí) ，通過(guò)控制器面板（或儀表顯示盤(pán)）來(lái)顯示電量不足；提醒騎行者調(diào)整自己的行程
，當(dāng)達(dá)到終止電壓時(shí)，通過(guò)取樣電阻將該信號(hào)送到比較器 ，由電路輸出保護(hù)信號(hào)，致使
、保護(hù)電路按預(yù)先設(shè)定的程序發(fā)出指令
，切斷電流以保護(hù)充電器和蓄電池。

5、過(guò)流保護(hù)，電流過(guò)大時(shí)過(guò)流保護(hù)電路動(dòng)作 ，使電機(jī)停轉(zhuǎn)
，避免過(guò)流給電機(jī)和控制器帶來(lái)危害 。另外，部分控制器還具有防飛車(chē)保護(hù) 、巡行限速等功能
。

電路中MOS管的好壞該如何判斷？

一.紅左 ，黑中
、右無(wú)窮大黑左
，紅中、右無(wú)窮大紅中，黑右無(wú)窮大mos管怎么測(cè)試好壞；黑中紅右顯示530（左右）。其實(shí)場(chǎng)效應(yīng)管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G 、D
、S ，有些管相反：S、D 、G 。我修顯示器、主板
、電源都是從上面mos管怎么測(cè)試好壞的方法測(cè)絕對(duì)沒(méi)問(wèn)題。你不信隨便拆塊板看一看
，場(chǎng)效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)
。

二．1判別各電極與管型。用萬(wàn)用表R×100檔，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值 。其中一次測(cè)量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆 ，這時(shí)兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D
，而另一引腳為柵極G
。再用萬(wàn)用表R×10k檔測(cè)量?jī)梢_（漏極D與源極S）之間的正 、反向電阻值。正常時(shí)，正向電阻值為2kΩ左右 ，反向電阻值大于500kΩ 。在測(cè)量反向電阻值時(shí)，紅表筆所接引腳不動(dòng)
，黑表筆脫離所接引腳后，先與柵極G觸碰一下 ，然后再去接原引腳
，觀察萬(wàn)用表讀數(shù)的變化情況
。若萬(wàn)用表讀數(shù)由原來(lái)較大阻值變?yōu)?，則此紅表筆所接的即是源極S ，黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效
，說(shuō)明該管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 。若萬(wàn)用表讀數(shù)仍為較大值，則黑表筆接回原引腳不變 ，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳
，若此時(shí)萬(wàn)用表讀數(shù)由原來(lái)阻值較大變?yōu)?，則此時(shí)黑表筆接的為源極S ，紅表筆接的是漏極D
。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效
，說(shuō)明該管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2．判別其好壞 。用萬(wàn)用表R×1k檔或R×10k檔，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管任意兩腳之間的正
、反向電阻值
。正常時(shí) ，除漏極與源極的正向電阻值較小外，其余各引腳之間（G與D、G與S）的正 、反向電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大。若測(cè)得某兩極之間的電阻值接近0Ω
，則說(shuō)明該管已擊穿損壞 。另外，還可以用觸發(fā)柵極（P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管用紅表筆觸發(fā) ，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā)）的方法來(lái)判斷場(chǎng)應(yīng)管是否損壞。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后
，D
、S極之間的正、反向電阻均變?yōu)?），則可確定該管性能良好
。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.2因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來(lái),否則是壞管.3利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時(shí)需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對(duì)自已時(shí),左柵中漏右源。

zbwsemi的MOS管10N65如何測(cè)量好壞

編輯-Z

為什么要檢測(cè)mos管的好壞？

為了保護(hù)板上的其他元件 ，在將MOS管10N65連接到電路之前對(duì)其進(jìn)行測(cè)試至關(guān)重要 。mos管10N65主要有漏極 、源極和柵極三個(gè)引腳
。

當(dāng)使用有故障的MOS管時(shí)
，會(huì)發(fā)生漏極到柵極的短路，對(duì)電路不利。這種短路的結(jié)果可能是漏極電壓反饋 ，這也會(huì)影響柵極端子 。電壓到達(dá)該端后
，通過(guò)柵極電阻進(jìn)一步傳輸?shù)津?qū)動(dòng)電路，這種傳輸可能對(duì)驅(qū)動(dòng)電路造成進(jìn)一步的損壞
。因此 ，在使用前檢測(cè)mos管10N65的質(zhì)量可以避免損壞整個(gè)電路。那么zbwsemi的MOS管10N65如何測(cè)量好壞呢？

測(cè)量mos管10N65好壞時(shí)要注意的幾點(diǎn)

在測(cè)試mos管時(shí)
，您需要采取一些預(yù)防措施 。主要是：

1
、必須保證輸入電源大于等于MOS管10N65的閾值電壓
。

2、MOS管的漏極電壓和柵極電壓不能超過(guò)擊穿電壓。

3 、應(yīng)選擇合適的限流電阻給LED供電 。

4
、連接時(shí)應(yīng)始終使用柵源電阻
。這將有助于避免柵極處的噪聲，也有助于釋放器件的寄生電容。

5、在mos管的柵極處應(yīng)始終使用低量程電阻 。

6 、最后 ，通過(guò)測(cè)試電路技術(shù)進(jìn)行測(cè)試時(shí)，一定要使用低端開(kāi)關(guān)電路。否則
，mos管將無(wú)法工作
。

用萬(wàn)用表測(cè)量mos管10N65的好壞——電阻測(cè)試

當(dāng)MOS管的柵端沒(méi)有觸發(fā)脈沖時(shí)，它的漏源電阻很高。電阻測(cè)試就是利用這個(gè)屬性來(lái)測(cè)試mos管10N65是否有故障 。測(cè)試也很簡(jiǎn)單 ，只需要一個(gè)歐姆表或萬(wàn)用表即可執(zhí)行
。

做一個(gè)電阻檢查
，無(wú)論數(shù)字萬(wàn)用表探頭的極性如何，一個(gè)好的mos管應(yīng)該在漏極和源極之間有很高的電阻。

以下是進(jìn)行電阻測(cè)試的一些基本步驟：

1、無(wú)論歐姆表探頭的連接如何 ，功能良好的mos管10N65都應(yīng)指示高漏源電阻 。

2
、也可以用萬(wàn)用表檢查漏源電阻
。將萬(wàn)用表置于電阻模式開(kāi)始測(cè)試
，萬(wàn)用表電阻讀數(shù)應(yīng)高到以兆歐為單位。

3、將萬(wàn)用表的讀數(shù)與mos管10N65的數(shù)據(jù)表進(jìn)行比較 。如果您發(fā)現(xiàn)電阻讀數(shù)小于數(shù)據(jù)表上的值或?yàn)榱?，則存在故障
。儀表或歐姆表應(yīng)顯示數(shù)據(jù)表上的電阻。

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